Infineon N沟道MOSFET, Vds=250 V, Id=45 A, 3针, TO-263, HEXFET系列

RS 库存编号:: 217-2634
制造商零件编号:: IRFS4229TRLPBF
制造商:: Infineon

Infineon N沟道MOSFET, Vds=250 V, Id=45 A, 3针, TO-263, HEXFET系列

可享批量折扣

查看批量定价选项

小计（1 包，共 5 件）*

RMB167.65

(不含税)

RMB189.45

2,590 件将从其他地点发货

**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位	每单位	每包*
5 - 195	RMB33.53	RMB167.65
200 - 395	RMB32.522	RMB162.61
400 +	RMB31.548	RMB157.74

* 参考价格

RS 库存编号:: 217-2634
制造商零件编号:: IRFS4229TRLPBF
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

通过选择一个或多个属性来查找类似产品。

选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	45A
	最大漏源电压 Vd	250V
	包装类型	TO-263
	系列	HEXFET
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	48mΩ
	最大功耗 Pd	330W
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	110nC
	最大栅源电压 Vgs	20V
	正向电压 Vf	1.3V
	最高工作温度	175°C
	长度	10.67mm
	高度	9.65mm
	标准/认证	EIA 418
	宽度	4.83mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 45A
	最大漏源电压 Vd 250V
	包装类型 TO-263
	系列 HEXFET
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 48mΩ
	最大功耗 Pd 330W
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 110nC
	最大栅源电压 Vgs 20V
	正向电压 Vf 1.3V
	最高工作温度 175°C
	长度 10.67mm
	高度 9.65mm
	标准/认证 EIA 418
	宽度 4.83mm
	汽车标准否

Datasheet - IRFS4229TRLPBF

Infineon HEXFET 系列 MOSFET,250V 最大漏源电压,45A 最大连续漏电流 - IRFS4229TRLPBF

这款 MOSFET 是一款高压开关晶体管,专为需要稳健排放处理和宽温度运行的表面贴装电源应用而设计。它是一款N通道电源设备,适用于快速开关和高电流电路,可在宽泛的环境范围内运行,并通过了EIA-418行业标准认证。

特性和优点：

• 250V 排放额定值提供高电压切换能力
• 45A 连续漏极电流支持大负载电流
• 48mΩ Rds(on) 可减少负载下的传导损耗
• 330W功耗支持持续散热处理
• 110nC 栅极电荷可实现可预测的栅极驱动尺寸
• 1.3V 正向电压可最大限度降低二极管传导压差

应用

• 适用于高压直流-直流转换器
• 适用于电力电子领域的电机驱动阶段
• 与开关稳压器和电源配合使用
• 可用于高电流负载切换
• 适用于散热器背面印刷电路板上的表面安装组件

它采用哪种封装和安装方式？

它采用TO-263封装,适用于表面安装。

它能够耐受哪些环境条件？

其工作温度范围为-55°C至175°C。

设计人员应使用多少栅极驱动能量?

在调整栅极驱动器尺寸时,设计人员应考虑 110nC 的典型栅极电荷。

它是否适用于汽车规格应用?

它不符合汽车级标准。

必须遵守的最大栅至源电压是多少?

最大栅极到源极额定电压为 20V。