Infineon N沟道MOS管, Vds=250 V, 45 A, D2PAK (TO-263), 贴片安装, 3引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 217-2634
- 制造商零件编号:
- IRFS4229TRLPBF
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
¥132.06
(不含税)
¥149.23
(含税)
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 195 | RMB26.412 | RMB132.06 |
| 200 - 395 | RMB25.618 | RMB128.09 |
| 400 + | RMB24.85 | RMB124.25 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 217-2634
- 制造商零件编号:
- IRFS4229TRLPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 45 A | |
| 最大漏源电压 | 250 V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 封装类型 | D2PAK (TO-263) | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 48 个月 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 45 A | ||
最大漏源电压 250 V | ||
系列 HEXFET | ||
封装类型 D2PAK (TO-263) | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 48 个月 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
the Infineon ex场 ® 功率 mosfet 专为持续供电而设计
等离子显示面板中的能量回收和通过开关应用。此 mosfet 利用最新的处理技术实现每个硅区域低接通电阻和低 e 脉冲额定值。
先进的工艺技术
主要参数针对 pdp 持续性、能量回收和通过开关应用进行了优化
低 epulse 额定值、可减少 pdp 可持续、能量回收和通过开关应用中的功耗
低 qg 、用于快速响应
高 Peak 电流容量、确保可靠操作
短下降和上升时间、用于快速切换
175°c 工作接点温度、用于改善坚固性
重复雪崩能力、确保坚固性和可靠性
主要参数针对 pdp 持续性、能量回收和通过开关应用进行了优化
低 epulse 额定值、可减少 pdp 可持续、能量回收和通过开关应用中的功耗
低 qg 、用于快速响应
高 Peak 电流容量、确保可靠操作
短下降和上升时间、用于快速切换
175°c 工作接点温度、用于改善坚固性
重复雪崩能力、确保坚固性和可靠性