Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=250 V, 45 A, TO-263, 表面安装, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 217-2634P
- 制造商零件编号:
- IRFS4229TRLPBF
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计 200 件 (以卷装提供)*
¥5,123.60
(不含税)
¥5,789.60
(含税)
有库存
- 另外 2,610 件在 2025年12月22日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 200 - 395 | RMB25.618 |
| 400 + | RMB24.85 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 217-2634P
- 制造商零件编号:
- IRFS4229TRLPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 45A | |
| 最大漏源电压 Vd | 250V | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 48mΩ | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 330W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 110nC | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 9.65mm | |
| 长度 | 10.67mm | |
| 宽度 | 4.83 mm | |
| 标准/认证 | EIA 418 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 45A | ||
最大漏源电压 Vd 250V | ||
包装类型 TO-263 | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 表面 | ||
最大漏源电阻 Rd 48mΩ | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 330W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 110nC | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 9.65mm | ||
长度 10.67mm | ||
宽度 4.83 mm | ||
标准/认证 EIA 418 | ||
汽车标准 否 | ||
the Infineon ex场 ® 功率 mosfet 专为持续供电而设计 ; 等离子显示面板中的能量回收和通过开关应用。此 mosfet 利用最新的处理技术实现每个硅区域低接通电阻和低 e 脉冲额定值。
先进的工艺技术
主要参数针对 pdp 持续性、能量回收和通过开关应用进行了优化
低 epulse 额定值、可减少 pdp 可持续、能量回收和通过开关应用中的功耗
低 qg 、用于快速响应
高 Peak 电流容量、确保可靠操作
短下降和上升时间、用于快速切换
175°c 工作接点温度、用于改善坚固性
重复雪崩能力、确保坚固性和可靠性