Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=55 V, 89 A, TO-263, 表面安装, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 217-2636P
- 制造商零件编号:
- IRL3705NSTRLPBF
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 217-2636P
- 制造商零件编号:
- IRL3705NSTRLPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 89A | |
| 最大漏源电压 Vd | 55V | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 10mΩ | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 170W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 98nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 10.67mm | |
| 宽度 | 4.83 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 17.79mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 89A | ||
最大漏源电压 Vd 55V | ||
包装类型 TO-263 | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 表面 | ||
最大漏源电阻 Rd 10mΩ | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 170W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 98nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 10.67mm | ||
宽度 4.83 mm | ||
标准/认证 No | ||
高度 17.79mm | ||
汽车标准 否 | ||
the Infineon 55V 单 n 通道 hex场 功率 mosfet 采用 D2 pak 封装。
宽 soa 的平面单元结构
针对分销合作伙伴提供的最广泛可用性进行了优化
产品资格符合 dec 标准
硅经优化用于切换低于 <100kHz 的应用
工业标准表面安装电源封装
高电流承载能力封装（高达 195 a 、取决于模具尺寸）
能够进行波焊