Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=80 V, 12.5 A, PQFN, 表面安装, IRL80HS120, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 217-2640
- 制造商零件编号:
- IRL80HS120
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 包，共 20 件）*
¥79.88
(不含税)
¥90.26
(含税)
有库存
- 11,860 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 20 - 980 | RMB3.994 | RMB79.88 |
| 1000 - 1980 | RMB3.874 | RMB77.48 |
| 2000 + | RMB3.758 | RMB75.16 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 217-2640
- 制造商零件编号:
- IRL80HS120
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 12.5A | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 包装类型 | PQFN | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 42mΩ | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 7nC | |
| 最大功耗 Pd | 11.5W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 2.1mm | |
| 长度 | 2.1mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 1 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 12.5A | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
包装类型 PQFN | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 表面 | ||
最大漏源电阻 Rd 42mΩ | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 7nC | ||
最大功耗 Pd 11.5W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 2.1mm | ||
长度 2.1mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 1 mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon 提供三种不同的电压等级（ 60V 、 80V 和 100V ），因此，该系列的全新逻辑电平功率式功率高，非常适合无线充电、电信和适配器应用。p严重 尺寸封装 p枪 2x2 封装特别适用于高速切换和外形尺寸关键型应用。它可实现更高的功率密度和更高的效率以及显著的空间节省。
最低计量单位（ r ds （ on ） x q g/gd ）
优化的 q g 、 c oss 和 q rr 可实现快速切换
逻辑电平兼容性
微型 p紧凑 型 p紧凑 型 2x2mm 封装