Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=100 V, 190 A, TO-263, 表面安装, 7引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 217-2641
- 制造商零件编号:
- IRLS4030TRL7PP
- 制造商:
- Infineon
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- 制造商零件编号:
- IRLS4030TRL7PP
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 190A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 4.1mΩ | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 140nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 370W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 16 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 15.3mm | |
| 宽度 | 4.55 mm | |
| 长度 | 10.35mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 190A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
包装类型 TO-263 | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 7 | ||
最大漏源电阻 Rd 4.1mΩ | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 140nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 370W | ||
最大栅源电压 Vgs 16 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 15.3mm | ||
宽度 4.55 mm | ||
长度 10.35mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
the Infineon 100V 单 n 通道 hex场 功率 mosfet 采用 7 引脚 D2 封装。
针对逻辑电平驱动器进行了优化
在 4.5 伏 vgs 下、极低 rds （接通）
在 4.5 伏 vgs i 下具有卓越的 r*q 性能
改进的浇口、雪崩和动态 dv/dt 坚固性
完全定性电容和雪崩 soa
增强的主体二极管 dv/dt 和 di/dt 能力
无铅