Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=800 V, 4 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, SPD04N80C3ATMA1, CoolMOS C3系列
- RS 库存编号:
- 217-2644
- 制造商零件编号:
- SPD04N80C3ATMA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 包，共 10 件）*
¥61.78
(不含税)
¥69.81
(含税)
有库存
- 890 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 620 | RMB6.178 | RMB61.78 |
| 630 - 1240 | RMB6.115 | RMB61.15 |
| 1250 + | RMB5.811 | RMB58.11 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 217-2644
- 制造商零件编号:
- SPD04N80C3ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 4A | |
| 最大漏源电压 Vd | 800V | |
| 系列 | CoolMOS C3 | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.3Ω | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 63W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 31nC | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | JEDEC, RoHS | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 高度 | 6.22mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 4A | ||
最大漏源电压 Vd 800V | ||
系列 CoolMOS C3 | ||
包装类型 TO-252 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.3Ω | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 63W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 31nC | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 JEDEC, RoHS | ||
长度 6.73mm | ||
高度 6.22mm | ||
汽车标准 否 | ||
the Infineon 800V coolmos ™ C3 是 2001 年推出的第三个 coolmos ™系列产品。C3 是产品组合的 " 有效马匹 " 。。
低特定通态电阻（ rds （接通） * a ）
输出电容（ eoss ） @400V 中具有极低的能量存储
低栅极电荷（ qg ）
经过现场验证的 coolmos ™质量
CoolMOS™ 技术由 Infineon 于 1998 年推出