Infineon 隔离式 N型沟道 MOSFET, Vds=1.2 kV, 50 A, AG-EASY1B, 底盘安装, 2引脚, CoolSiC系列
- RS 库存编号:
- 217-7180
- 制造商零件编号:
- FF23MR12W1M1B11BOMA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 托盘，共 24 件）*
¥16,779.96
(不含税)
¥18,961.344
(含税)
最后的 RS 库存
- 最终 48 个，准备发货
单位 | 每单位 | Per Tray* |
|---|---|---|
| 24 - 24 | RMB699.165 | RMB16,779.96 |
| 48 - 72 | RMB685.182 | RMB16,444.37 |
| 96 + | RMB671.478 | RMB16,115.47 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 217-7180
- 制造商零件编号:
- FF23MR12W1M1B11BOMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 50A | |
| 最大漏源电压 Vd | 1.2kV | |
| 包装类型 | AG-EASY1B | |
| 系列 | CoolSiC | |
| 安装类型 | 底盘 | |
| 引脚数目 | 2 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 33mΩ | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 20mW | |
| 正向电压 Vf | 5.65V | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 长度 | 62.8mm | |
| 宽度 | 33.8 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 16.4mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 50A | ||
最大漏源电压 Vd 1.2kV | ||
包装类型 AG-EASY1B | ||
系列 CoolSiC | ||
安装类型 底盘 | ||
引脚数目 2 | ||
最大漏源电阻 Rd 33mΩ | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 20mW | ||
正向电压 Vf 5.65V | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
长度 62.8mm | ||
宽度 33.8 mm | ||
标准/认证 No | ||
高度 16.4mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon 1B 1200 v / mΩ 半桥模块采用 coolsic mosfet 、集成 ntc 温度传感器和 presfit 触点技术
高电流密度
同类最佳的开关和传导损耗
低电感设计
符合 rohs 标准的模块