Infineon N沟道MOSFET模块, Vds=1200 V, 50 A, AG-EASY1B, 螺钉安装, CoolSiC系列
- RS 库存编号:
- 217-7180
- 制造商零件编号:
- FF23MR12W1M1B11BOMA1
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|---|
| 24 - 24 | RMB699.165 | RMB16,779.96 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 217-7180
- 制造商零件编号:
- FF23MR12W1M1B11BOMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 50 A | |
| 最大漏源电压 | 1200 V | |
| 封装类型 | AG-EASY1B | |
| 系列 | CoolSiC | |
| 安装类型 | 螺钉 | |
| 最大漏源电阻值 | 0.033 Ω | |
| 最大栅阈值电压 | 20V | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 50 A | ||
最大漏源电压 1200 V | ||
封装类型 AG-EASY1B | ||
系列 CoolSiC | ||
安装类型 螺钉 | ||
最大漏源电阻值 0.033 Ω | ||
最大栅阈值电压 20V | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
Infineon 1B 1200 v / mΩ 半桥模块采用 coolsic mosfet 、集成 ntc 温度传感器和 presfit 触点技术
高电流密度
同类最佳的开关和传导损耗
低电感设计
符合 rohs 标准的模块
同类最佳的开关和传导损耗
低电感设计
符合 rohs 标准的模块