Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 38 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, AUIRF5210STRL, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 218-2972
- 制造商零件编号:
- AUIRF5210STRL
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|---|
| 5 - 195 | RMB57.936 | RMB289.68 |
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| 400 + | RMB54.508 | RMB272.54 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 218-2972
- 制造商零件编号:
- AUIRF5210STRL
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 38A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 60mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 150nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 3.1W | |
| 正向电压 Vf | -1.6V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 10.67mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 9.65 mm | |
| 高度 | 4.83mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id 38A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
系列 HEXFET | ||
包装类型 TO-263 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 60mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 150nC | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 3.1W | ||
正向电压 Vf -1.6V | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 10.67mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 9.65 mm | ||
高度 4.83mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon p 通道汽车 mosfet 。它专门设计用于汽车应用。此款 hex场 ® 功率式高电阻器的蜂窝式设计利用最新的处理技术，在每个硅片区域实现低接通电阻。
先进的工艺技术
P 沟道 MOSFET
超低接通电阻
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