Infineon N沟道MOSFET, Vds=40 V, Id=119 A, 8针, TDSON, OptiMOS系列

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包装方式：
RS 库存编号:
218-2975P
制造商零件编号:
BSC026N04LSATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

119A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

TDSON

系列

OptiMOS

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

2.6mΩ

通道模式

N

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

45nC

最大功耗 Pd

63W

最大栅源电压 Vgs

20V

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

宽度

6.1mm

高度

1.2mm

长度

5.35mm

汽车标准

否

Infineon OptiMOS系列MOSFET,40V最大漏源电压,119A最大连续漏电流 - BSC026N04LSATMA1


这款 MOSFET 是一款高电流 N 沟道晶体管,专为表面安装系统中的电源开关而设计,可在广泛的运行条件下为直流-直流转换和类似的电源管理任务提供受控传导。

特性和优点：


• 最大漏源电压支持 40V 系统运行
• 超低导通电阻可降低 2.6mΩ 的导电损耗
• 连续漏电流额定值可承受 119 A 的持续负载
• 典型栅极电荷为 45 nC,可最大限度减少开关能量和延迟
• 功耗能力可在运行过程中实现 63W 热处理
• 栅极源耐受高达 20V 的电压,提供强大的驱动空间

应用


• 适用于电源的大电流DC-DC转换器
• 适用于汽车电源模块的切换级别
• 用于需要低传导损耗的电机驱动器半桥
• 可用于高效同步整流
• 适用于紧凑型表面贴装电源组件

它能在什么温度范围内稳定运行？


其工作温度范围为 -55 °C 至 150 °C,可延长热位置。

紧凑型设计采用哪种封装和安装方式?


它采用 8 针 TDSON 封装,适用于表面安装。

其正向电压对功率级设计有何影响?


在计算传导损耗和选择栅极驱动电平时,应考虑 1 V 的正向电压。

该设备使用哪种通道和传导模式?


它采用 N 型通道,以增强模式运行,以实现标准 MOSFET 切换行为。

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