Infineon N型沟道 N型 MOSFET, Vds=200 V, 35 A, TDSON, 表面安装, 8引脚, OptiMOS 3系列

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包装方式:
RS 库存编号:
218-2979P
制造商零件编号:
BSC350N20NSFDATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

35A

最大漏源电压 Vd

200V

包装类型

TDSON

系列

OptiMOS 3

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

35mΩ

通道模式

N

最大功耗 Pd

150W

最大栅源电压 Vgs

20 V

正向电压 Vf

1.2V

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

22nC

最高工作温度

175°C

标准/认证

No

高度

1.2mm

宽度

6.1 mm

长度

5.35mm

汽车标准

the Infineon ® 系列 n 沟道功率 mosfet 。这些设备是理想选择、适用于硬切换应用、如电信、工业电源、 d 类音频放大器、电动机控制和直流 - 交流变频器。它特别适用于高频切换和同步整流。

N 通道,正常电平

极低接通电阻 rds (接通)

无铅引线电镀