制造商编号

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=40 V, Id=200 A, 8针, PG-HSOF-5, IAUA系列

RS 库存编号:: 218-2988
制造商零件编号:: IAUA200N04S5N010AUMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=40 V, Id=200 A, 8针, PG-HSOF-5, IAUA系列

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RS 库存编号:: 218-2988
制造商零件编号:: IAUA200N04S5N010AUMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	200A
	最大漏源电压 Vd	40V
	系列	IAUA
	包装类型	PG-HSOF-5
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	1mΩ
	通道模式	增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	80nC
	正向电压 Vf	1.1V
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最大功耗 Pd	81W
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 200A
	最大漏源电压 Vd 40V
	系列 IAUA
	包装类型 PG-HSOF-5
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 1mΩ
	通道模式增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC
	正向电压 Vf 1.1V
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最大功耗 Pd 81W
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet - IAUA200N04S5N010AUMA1

the Infineon ® 系列 n 沟道功率 mosfet 。它可用于汽车应用。

n 通道 - 增强模式 - 正常级别

MSL3 高达 260°c Peak

175°C 工作温度

100% 雪崩测试

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