Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=260 A, 8针, HSOF, OptiMOS 5系列
- RS 库存编号:
- 218-2990P
- 制造商零件编号:
- IAUT260N10S5N019ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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- 218-2990P
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- IAUT260N10S5N019ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 260A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 系列 | OptiMOS 5 | |
| 包装类型 | HSOF | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.9mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 300W | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最高工作温度 | +175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 260A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
系列 OptiMOS 5 | ||
包装类型 HSOF | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.9mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 300W | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最高工作温度 +175°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS 5系列MOSFET,100V漏源电压,260A连续漏电流 - IAUT260N10S5N019ATMA1
这款 MOSFET 是一款高电流 N 沟道增强装置,专为严苛环境中的表面安装式电源开关而设计。它可在宽温度范围内运行,适用于恶劣条件,专为需要大量漏电流处理、紧密导通电阻和强大的栅极电压容差的应用而设计。
特性和优点：
• 1.9mΩ Rds(on),可降低传导损耗
• 260A 连续漏极电流，可实现高电流处理
• 100V 漏源额定值支持中等电压系统
• ±20V 栅极容差支持灵活的驱动电压
• 300W 功耗可实现强大的热负载
• 1.3V正向电压可最大限度降低二极管导通损耗
• 260A 连续漏极电流，可实现高电流处理
• 100V 漏源额定值支持中等电压系统
• ±20V 栅极容差支持灵活的驱动电压
• 300W 功耗可实现强大的热负载
• 1.3V正向电压可最大限度降低二极管导通损耗
应用
• 适用于汽车动力系统和电机驱动装置
• 适用于高电流直流-直流转换阶段
• 与电池管理和能量存储系统配合使用
• 可用于电动车辆的配电
• 适用于需要紧凑型功率 MOSFET 的表面贴装组件
• 适用于高电流直流-直流转换阶段
• 与电池管理和能量存储系统配合使用
• 可用于电动车辆的配电
• 适用于需要紧凑型功率 MOSFET 的表面贴装组件
它在运行过程中可承受哪些极端温度？
它专为在 -55°C 至 +175°C 温度范围内连续使用而设计。
紧凑型组件提供哪种封装和安装方式?
它采用 HSOF 封装,适用于表面安装,配备八个引脚。
该设备如何满足汽车认证需求?
它符合车辆环境中使用的组件的汽车 AEC-Q101 标准。
哪种通道类型和模式决定了开关行为?
它使用在增强模式下运行的 N 通道设备,以实现受控传导。
栅极电压和漏极电压应遵守哪些电气限制?
栅极源电压必须保持在 ±20V 范围内,漏极源电压必须保持在 100V 范围内。