Infineon N型沟道 N型 MOSFET, Vds=600 V, 11 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, IPA60R125CFD7XKSA1, 600V CoolMOS CFD7系列
- RS 库存编号:
- 218-2997
- 制造商零件编号:
- IPA60R125CFD7XKSA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
¥129.83
(不含税)
¥146.71
(含税)
有库存
- 另外 450 件在 2026年2月09日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 10 | RMB25.966 | RMB129.83 |
| 15 - 20 | RMB25.184 | RMB125.92 |
| 25 + | RMB24.43 | RMB122.15 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 218-2997
- 制造商零件编号:
- IPA60R125CFD7XKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 11A | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 系列 | 600V CoolMOS CFD7 | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 125mΩ | |
| 通道模式 | N | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 32W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 36nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 4.9 mm | |
| 高度 | 29.75mm | |
| 长度 | 10.65mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 11A | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
系列 600V CoolMOS CFD7 | ||
包装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 125mΩ | ||
通道模式 N | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 32W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 36nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
宽度 4.9 mm | ||
高度 29.75mm | ||
长度 10.65mm | ||
汽车标准 否 | ||
the Infineon 600V coolmos ™ CFD7 系列 n 沟道功率 mosfet 。coolmos ™ CFD7 技术符合最高效率和可靠性标准，并进一步支持高功率密度解决方案。
超快主体二极管
低栅极电荷
同类杰出的反向恢复充电（ qrr ）