制造商编号

Infineon N沟道MOSFET, Vds=600 V, Id=6.8 A, 3针, TO-220, 600V CoolMOS CE系列

RS 库存编号:: 218-3000
制造商零件编号:: IPA60R1K0CEXKSA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道MOSFET, Vds=600 V, Id=6.8 A, 3针, TO-220, 600V CoolMOS CE系列

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单位	每单位	Per Tube*
50 - 50	RMB4.661	RMB233.05
100 - 150	RMB4.544	RMB227.20
200 +	RMB4.431	RMB221.55

* 参考价格

RS 库存编号:: 218-3000
制造商零件编号:: IPA60R1K0CEXKSA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	6.8A
	最大漏源电压 Vd	600V
	包装类型	TO-220
	系列	600V CoolMOS CE
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	1Ω
	通道模式	N
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	13nC
	最低工作温度	-40°C
	最大功耗 Pd	61W
	最大栅源电压 Vgs	20V
	正向电压 Vf	0.9V
	最高工作温度	150°C
	宽度	4.9mm
	标准/认证	No
	长度	29.75mm
	高度	16.15mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 6.8A
	最大漏源电压 Vd 600V
	包装类型 TO-220
	系列 600V CoolMOS CE
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 1Ω
	通道模式 N
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 13nC
	最低工作温度 -40°C
	最大功耗 Pd 61W
	最大栅源电压 Vgs 20V
	正向电压 Vf 0.9V
	最高工作温度 150°C
	宽度 4.9mm
	标准/认证 No
	长度 29.75mm
	高度 16.15mm
	汽车标准否

Datasheet - IPA60R1K0CEXKSA1

the Infineon 600V coolmos ™ ce 系列 n 沟道功率 mosfet 。coolmos ™是一项革命性技术，适用于高电压功率的高功率功率半导体，设计符合超结（ sj ）原理，并由 Infineon 技术公司率先推出。它可用于 pfc 级、硬切换 pwm 级和谐振切换级、例如 pc silverbox 、适配器、 lcd 和 pdp tv 以及室内照明。

非常高的换向坚固性

易于使用 / 驱动

无铅电镀、无卤模制化合物

Infineon N沟道MOSFET, Vds=600 V, Id=6.8 A, 3针, TO-220, 600V CoolMOS CE系列

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