Infineon N型沟道 N型 MOSFET, Vds=600 V, 6.8 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, 600V CoolMOS CE系列

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包装方式:
RS 库存编号:
218-3001P
制造商零件编号:
IPA60R1K0CEXKSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

6.8A

最大漏源电压 Vd

600V

包装类型

TO-220

系列

600V CoolMOS CE

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

通道模式

N

正向电压 Vf

0.9V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

13nC

最低工作温度

-40°C

最大栅源电压 Vgs

20 V

最大功耗 Pd

61W

最高工作温度

150°C

宽度

4.9 mm

标准/认证

No

高度

16.15mm

长度

29.75mm

汽车标准

the Infineon 600V coolmos ™ ce 系列 n 沟道功率 mosfet 。coolmos ™是一项革命性技术,适用于高电压功率的高功率功率半导体,设计符合超结( sj )原理,并由 Infineon 技术公司率先推出。它可用于 pfc 级、硬切换 pwm 级和谐振切换级、例如 pc silverbox 、适配器、 lcd 和 pdp tv 以及室内照明。

非常高的换向坚固性

易于使用 / 驱动

无铅电镀、无卤模制化合物