Infineon N沟道MOSFET, Vds=600 V, Id=12 A, 3针, TO-220, 600V CoolMOS P7系列

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RS 库存编号:
218-3004
制造商零件编号:
IPA60R280P7SXKSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

12A

最大漏源电压 Vd

600V

包装类型

TO-220

系列

600V CoolMOS P7

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

280mΩ

通道模式

N

最大功耗 Pd

24W

最低工作温度

-40°C

最大栅源电压 Vgs

30V

正向电压 Vf

0.9V

最高工作温度

+150°C

标准/认证

No

汽车标准

the Infineon 600V coolmos ™ P7 系列 n 沟道功率 mosfet 。coolmos ™ 7th 代平台是一项革命性技术,适用于高电压功率的高功率功率器件,设计符合超结( sj )原理,并由 Infineon 技术开创。600V coolmos ™ P7 超结 mosfet 是 600V coolmos ™ P6 系列的后继产品。它继续在设计过程中兼顾对高效率的需求与易用性。

适用于硬切换和软切换( pfc 和 llc ) 由于卓越的换向坚固性

显著减少切换和传导损耗

出色的 esd 稳定性 > 2kV ( hbm )、适用于所有产品

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