Infineon N沟道MOSFET, Vds=150 V, Id=174 A, 7针, TO-263, OptiMOS 5系列

RS 库存编号:: 218-3029P
制造商零件编号:: IPB044N15N5ATMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道MOSFET, Vds=150 V, Id=174 A, 7针, TO-263, OptiMOS 5系列

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RS 库存编号:: 218-3029P
制造商零件编号:: IPB044N15N5ATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	174A
	最大漏源电压 Vd	150V
	包装类型	TO-263
	系列	OptiMOS 5
	安装类型	表面
	引脚数目	7
	最大漏源电阻 Rd	4.4mΩ
	通道模式	N
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	300W
	正向电压 Vf	1.1V
	最高工作温度	+175°C
	标准/认证	No
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 174A
	最大漏源电压 Vd 150V
	包装类型 TO-263
	系列 OptiMOS 5
	安装类型表面
	引脚数目 7
	最大漏源电阻 Rd 4.4mΩ
	通道模式 N
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 300W
	正向电压 Vf 1.1V
	最高工作温度 +175°C
	标准/认证 No
	汽车标准否

Datasheet - IPB044N15N5ATMA1

Infineon OptiMOS 5系列MOSFET,150V漏源电压,174A连续漏电流 - IPB044N15N5ATMA1

这款 MOSFET 是一款功率开关晶体管,专为需要耐热性和表面贴装的高电流高压应用而设计。它可在宽温度范围内运行,并配置为N通道设备,采用TO-263表面贴装封装,适合集成到转换器和逆变器拓扑中。

特性和优点：

• 4.4mΩ 的低导通电阻可减少传导损耗和发热
• 174A 高连续排放电流支持重载操作
• 漏源电压额定值为 150V,可实现高压切换
• 最大耗散功率为 300W,可实现持久的功率处理
• 栅极源电压限制 20V,可适应标准栅极驱动电平
• 正向电压为 1.1V,可最大程度减少额定电流导电时的下降

应用

• 适用于配电系统中的直流-直流转换器
• 用于电机驱动组件中的逆变器级
• 适用于服务器电源中的高电流开关
• 可用于工业控制设备的电源管理
• 与高功率组件中的散热溶液配合使用

这款设备在运行过程中可承受哪些极端温度？

它专为在 -55°C 至 +175°C 的温度范围内运行,可在温度变化剧烈的环境中使用。

PCB布局应采用哪种安装方式和引脚配置?

该组件采用 TO-263 表面贴装封装,带有七个引脚,需要考虑相应的接地模式和热垫。

内部实施了哪种传导类型和通道模式?

该设备采用 N 通道增强模式配置,适用于低侧或高侧切换,并配备合适的栅极驱动器。

该设备在连续运行的功率处理方面表现如何?

它的最大连续漏电流为174A,额定最大功耗为300W,适用于持续电源应用。