Infineon N沟道MOS管, Vds=150 V, 114 A, TO 263, 贴片安装, 3引脚, OptiMOS™ 5系列
- RS 库存编号:
- 218-3030
- 制造商零件编号:
- IPB073N15N5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
小计（1 卷，共 1000 件）*
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 1000 + | RMB14.774 | RMB14,774.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 218-3030
- 制造商零件编号:
- IPB073N15N5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 114 A | |
| 最大漏源电压 | 150 V | |
| 封装类型 | TO 263 | |
| 系列 | OptiMOS™ 5 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 0.0073 Ω | |
| 最大栅阈值电压 | 4.6V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 114 A | ||
最大漏源电压 150 V | ||
封装类型 TO 263 | ||
系列 OptiMOS™ 5 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 0.0073 Ω | ||
最大栅阈值电压 4.6V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 Si | ||
the Infineon ® 5 n 沟道功率 mosfet 。the Infineon 的 150V 功率功率高功率的
极佳的栅极电荷 x RDS(on) 产品 (FOM)
极低接通电阻 rds （接通）
极低的反向恢复电荷（ qrr ）
175 °c 工作温度
无铅引线电镀
极低接通电阻 rds （接通）
极低的反向恢复电荷（ qrr ）
175 °c 工作温度
无铅引线电镀