Infineon N沟道MOSFET, Vds=150 V, Id=114 A, 3针, TO-263, OptiMOS 5系列
- RS 库存编号:
- 218-3031P
- 制造商零件编号:
- IPB073N15N5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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- IPB073N15N5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 114A | |
| 最大漏源电压 Vd | 150V | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 系列 | OptiMOS 5 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 7.3mΩ | |
| 通道模式 | N | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.1V | |
| 最大功耗 Pd | 214W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最高工作温度 | +175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 114A | ||
最大漏源电压 Vd 150V | ||
包装类型 TO-263 | ||
系列 OptiMOS 5 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 7.3mΩ | ||
通道模式 N | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.1V | ||
最大功耗 Pd 214W | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最高工作温度 +175°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon OptiMOS 5系列MOSFET,150V漏源电压,114A连续漏电流 - IPB073N15N5ATMA1
这款 MOSFET 是一款高功率半导体设备,专为要求严苛的电子系统中的开关和电源管理而设计。它采用表面贴装 TO-263 封装,用作 N 通道晶体管,适用于需要在宽温度范围内提供大量电流和热量处理的应用。
特性和优点：
• 150V 漏电额定值,适用于高压切换能力
• 114 A 连续漏电流,适用于重负载操作
• 7.3 mΩ Rds(on),可降低传导损耗
• 214 W 功耗,可实现持久热负载
• 1.1V正向电压,提供高效的导电性能
• 20V 栅极容差,可实现稳固的栅极驱动空间
• 114 A 连续漏电流,适用于重负载操作
• 7.3 mΩ Rds(on),可降低传导损耗
• 214 W 功耗,可实现持久热负载
• 1.1V正向电压,提供高效的导电性能
• 20V 栅极容差,可实现稳固的栅极驱动空间
应用
• 适用于电源的 DC-DC 转换器
• 适用于需要大电流的电机驱动级应用
• 与工业系统中的电源管理模块配合使用
• 可用于转换器中的同步整流
• 适用于电信设备的高压开关
• 适用于需要大电流的电机驱动级应用
• 与工业系统中的电源管理模块配合使用
• 可用于转换器中的同步整流
• 适用于电信设备的高压开关
我可以安全应用哪些栅极电压范围?
该设备可在栅极和源之间接受高达 20 V 的电压,且不超过其指定的栅极容差。
这款设备在运行过程中可承受哪些极端温度?
其额定工作温度范围为 -55°C 至 +175°C。
封装如何影响电路板组装和冷却?
TO-263 表面贴装形式允许对铜平面进行焊接热触点,以实现散热和自动拾放安装。
它使用哪种通道传导类型和方向?
它采用 N 型通道,配置用于电源电路中的标准增强模式切换。