Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 120 A, TO-263, 通孔安装, 3引脚, IPB120N06S4H1ATMA2, OptiMOS-T2系列
- RS 库存编号:
- 218-3033
- 制造商零件编号:
- IPB120N06S4H1ATMA2
- 制造商:
- Infineon
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 218-3033
- 制造商零件编号:
- IPB120N06S4H1ATMA2
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 120A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 系列 | OptiMOS-T2 | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 2mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 120A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
系列 OptiMOS-T2 | ||
包装类型 TO-263 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 2mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
the Infineon ® T2 系列 n 沟道功率 mosfet 。它具有低切换和传导功率损耗、可实现高热效率。
N 通道 - 增强模式
175°C 工作温度
100% 雪崩测试