Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=120 A, 3针, TO-263, OptiMOS-T2系列

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包装方式：
RS 库存编号:
218-3033
制造商零件编号:
IPB120N06S4H1ATMA2
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

120A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

TO-263

系列

OptiMOS-T2

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

2mΩ

通道模式

增强

标准/认证

No

汽车标准

AEC-Q101

the Infineon ® T2 系列 n 沟道功率 mosfet 。它具有低切换和传导功率损耗、可实现高热效率。

N 通道 - 增强模式

175°C 工作温度

100% 雪崩测试

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