Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=50 A, 3针, TO-252, OptiMOS-T2系列

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包装方式：
RS 库存编号:
218-3045P
制造商零件编号:
IPD50N06S4L12ATMA2
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

50A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

TO-252

系列

OptiMOS-T2

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

12mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

1.3V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

30nC

最大栅源电压 Vgs

16V

最大功耗 Pd

50W

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

宽度

6.22mm

长度

6.73mm

标准/认证

No

高度

2.41mm

汽车标准

AEC-Q101

Infineon OptiMOS-T2 系列 MOSFET,最大漏源电压 60V,最大连续漏电流 50A - IPD50N06S4L12ATMA2


这款 MOSFET 是一款 60V N 沟道增强装置,专为严苛环境中的高电流开关而设计。它可在宽环境温度范围内工作,适用于需要高效传导和紧凑封装的表面安装组件。

特性和优点：


• 导通电阻低至12mΩ，可降低导通损耗
• 最大连续漏电流为 50A,支持重负载
• 50W 功耗能力可管理热应力
• 栅极电荷为 30nC,可实现更快的切换转换
• 16V 栅极额定值可实现稳固的栅极驱动空间
• 通过AEC-Q101认证,确保适用于汽车应用

应用


• 适用于汽车电子设备中的直流-直流转换器
• 适用于牵引辅助系统中的电源开关
• 用于高电流电机驱动器级
• 可用于电池管理和保护电路
• 适用于紧凑型板上的表面贴装电源模块

该设备的漏极和栅极电压限制是多少?


排放到源端可承受高达60V的电压,而栅极到源端的额定电压为16V。

该设备如何应对极端环境温度?


它的工作温度范围为-55°C至175°C,适用于各种热环境。

它在 PCB 组装时使用哪种封装和安装方式?


它采用TO-252封装,专为表面安装而设计。

哪种通道类型和通道模式决定了其传导行为?


它采用在增强模式下配置的 N 通道结构,用于受控切换。

哪些物理尺寸因素会影响布局热设计?


封装尺寸紧凑,高度为 2.41mm,长度为 6.73mm,宽度为 6.22mm,有助于密集的板放置。

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