Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=600 V, Id=12 A, 3针, TO-252, 600V CoolMOS P7系列

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包装方式：
RS 库存编号:
218-3051P
制造商零件编号:
IPD60R280P7SAUMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

12A

最大漏源电压 Vd

600V

包装类型

TO-252

系列

600V CoolMOS P7

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

280mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

0.9V

最大栅源电压 Vgs

20V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

18nC

最大功耗 Pd

53W

最低工作温度

-40°C

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

宽度

6.22mm

高度

2.41mm

长度

6.73mm

汽车标准

否

Infineon 600V CoolMOS P7 系列 MOSFET,600V 最大漏源电压,12A 最大连续漏电流 - IPD60R280P7SAUMA1


这款 MOSFET 是一款高电压 N 通道开关设备,专为需要稳健电压处理和高工作温度的表面贴装电源应用而设计。它可用作增强模式晶体管,适用于开关和电源转换任务,提供受控栅极驱动传导并支持工业和电力电子环境中常见的连续漏电流。

特性和优点：


• 600 V 最大漏源电压可实现高压切换
• 12 A 连续漏电流支持高负载电流
• 280 mΩ 最大 RDS(on) 可减少负载下的传导损耗
• 最大功耗为53W,可在运行过程中保持散热性
• VGS 时的典型栅极电荷为 18 nC,可实现快速切换转换
• 工作温度范围为 -40°C 至 150°C,支持高温部署

应用


• 适用于高压电源和转换器
• 适用于开关模式电源主开关
• 与需要 600 V 额定电压设备的电机驱动器配合使用
• 可用于工业电源开关模块
• 适用于紧凑型表面贴装电源组件

为确保安全运行,必须遵守哪些栅极电压限制?


该设备不得超过20V的栅极源电压,以避免栅极过度压力。

封装格式对安装和热路径有何影响?


TO-252 表面贴装封装提供紧凑封装和通过插片提供直接热路径,用于 PCB 散热布局。

它采用什么类型的传导模式?这意味着什么?


它在增强模式下作为 N 通道设备运行,因此需要与源相比的正向栅极驱动才能开启。

与驱动设计相关的典型栅极电荷行为是什么?


VGS 时的典型栅极电荷为 18 nC,表明栅极驱动器必须在每次开关事件中提供该电荷,从而影响驱动器尺寸和开关损耗。

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