Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 90 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, OptiMOS-T2系列
- RS 库存编号:
- 218-3054
- 制造商零件编号:
- IPD90N10S4L06ATMA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 卷，共 2500 件）*
¥18,740.00
(不含税)
¥21,175.00
(含税)
有库存
- 2,500 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 2500 - 10000 | RMB7.496 | RMB18,740.00 |
| 12500 + | RMB7.346 | RMB18,365.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 218-3054
- 制造商零件编号:
- IPD90N10S4L06ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 90A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 系列 | OptiMOS-T2 | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 6.6mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 16 V | |
| 最大功耗 Pd | 136W | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 75nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 2.41mm | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 6.22 mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 90A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
系列 OptiMOS-T2 | ||
包装类型 TO-252 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 6.6mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 16 V | ||
最大功耗 Pd 136W | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 75nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 2.41mm | ||
长度 6.73mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 6.22 mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
the Infineon ® T2 系列 n 沟道功率 mosfet 。它具有低切换和传导功率损耗、可实现高热效率。
N 通道 - 增强模式
MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接
175°C 工作温度