Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=90 A, 3针, TO-252, OptiMOS-T2系列

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包装方式：
RS 库存编号:
218-3055P
制造商零件编号:
IPD90N10S4L06ATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

90A

最大漏源电压 Vd

100V

系列

OptiMOS-T2

包装类型

TO-252

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

6.6mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

75nC

最大功耗 Pd

136W

最大栅源电压 Vgs

16V

正向电压 Vf

1.3V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

标准/认证

No

宽度

6.22mm

高度

2.41mm

长度

6.73mm

汽车标准

AEC-Q101

Infineon OptiMOS-T2 系列 MOSFET,100V 最大漏源电压,90A 最大连续漏电流 - IPD90N10S4L06ATMA1


这款 MOSFET 是一款高电流 N 沟道增强装置,专为严苛环境中的电源开关而设计,包括汽车应用。它可在宽温度范围内工作,适用于需要强大的热性能和电气性能的表面贴装PCB组件。

特性和优点：


• 最大漏源电压 100V,可实现高压切换能力
• 90A 连续漏电流支持大电流负载
• 低 Rds(on) 6.6mΩ 可减少运行过程中的导电损耗
• 典型栅极电荷为 75nC,可实现受控开关转换
• 最大功耗为 136W,有助于在负载下进行热管理
• 最大栅极源电压 16V,支持标准栅极驱动电压

应用


• 适用于汽车电子控制装置的功率级
• 适用于需要高电流处理的直流-直流转换器
• 与需要低传导损耗的电机驱动电路配合使用
• 可用于电池管理和配电系统
• 适用于紧凑型电源板上的表面安装组件

它在运行时能够耐受的温度范围是多少？


它能在 -55°C 至 175°C 的宽环境温度范围内运行。

PCB 组装提供哪种封装和安装方式?


该设备采用 TO-252 封装,用于表面安装。

它在电路中提供多少电气连接?


它具有三个用于门、排放和源连接的引脚。

哪些通道类型和模式定义了其传导行为?


它使用 N 型通道以增强模式运行。

其物理尺寸是多少?


该封装尺寸为 6.73x6.22x2.41 mm,适用于板布局。

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