Infineon , 2 N型沟道 双 增强型 功率晶体管, Vds=40 V, 20 A, TDSON, 表面安装, 8引脚, IPG20系列, IPG20N04S408AATMA1
- RS 库存编号:
- 218-3058
- 制造商零件编号:
- IPG20N04S408AATMA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 包，共 10 件）*
¥113.12
(不含税)
¥127.83
(含税)
有库存
- 另外 4,660 件在 2025年12月22日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 1240 | RMB11.312 | RMB113.12 |
| 1250 - 2490 | RMB10.971 | RMB109.71 |
| 2500 + | RMB10.642 | RMB106.42 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 218-3058
- 制造商零件编号:
- IPG20N04S408AATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | 功率晶体管 | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 20A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 包装类型 | TDSON | |
| 系列 | IPG20 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 7.6mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 28nC | |
| 最大功耗 Pd | 65W | |
| 正向电压 Vf | 0.9V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 晶体管配置 | 双 | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 高度 | 1mm | |
| 宽度 | 5.9 mm | |
| 长度 | 5.15mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 功率晶体管 | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 20A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
包装类型 TDSON | ||
系列 IPG20 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 7.6mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 28nC | ||
最大功耗 Pd 65W | ||
正向电压 Vf 0.9V | ||
最高工作温度 175°C | ||
晶体管配置 双 | ||
标准/认证 RoHS | ||
高度 1mm | ||
宽度 5.9 mm | ||
长度 5.15mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
the Infineon 20V v5s-200n 40V 通道汽车 mosfet 。裸露的垫可提供出色的热传输（因模具尺寸而异）。
双 n 通道正常级别 - 增强模式
175°C 工作温度
100% 雪崩测试
可用于自动光学检验（ oi ）