Infineon , 2 N型沟道 双 增强型 功率晶体管, Vds=100 V, 20 A, TDSON, 表面安装, 8引脚, OptiMOS-T2系列, IPG20N10S436AATMA1

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218-3060
制造商零件编号:
IPG20N10S436AATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

功率晶体管

最大连续漏极电流 Id

20A

最大漏源电压 Vd

100V

系列

OptiMOS-T2

包装类型

TDSON

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

36mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1V

最大功耗 Pd

43W

最大栅源电压 Vgs

20 V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

9.4nC

最高工作温度

175°C

晶体管配置

长度

5.15mm

高度

1mm

宽度

5.9 mm

标准/认证

AEC Q101, RoHS

每片芯片元件数目

2

汽车标准

AEC-Q101

the Infineon ® T2 系列双 n 通道汽车 mosfet 。自动光学检查( oi )是可行的。

双 n 通道 - 增强模式

100% 雪崩测试

175°C 工作温度