Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 20 A, SuperSO8 5 x 6 双, 贴片安装, 8引脚, OptiMOS™ -T2系列
- RS 库存编号:
- 218-3060
- 制造商零件编号:
- IPG20N10S436AATMA1
- 制造商:
- Infineon
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 218-3060
- 制造商零件编号:
- IPG20N10S436AATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 20 A | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 封装类型 | SuperSO8 5 x 6 双 | |
| 系列 | OptiMOS™ -T2 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻值 | 0.036. Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 3.5V | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 20 A | ||
最大漏源电压 100 V | ||
封装类型 SuperSO8 5 x 6 双 | ||
系列 OptiMOS™ -T2 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻值 0.036. Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 3.5V | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
晶体管材料 Si | ||
the Infineon ® T2 系列双 n 通道汽车 mosfet 。自动光学检查（ oi ）是可行的。
双 n 通道 - 增强模式
100% 雪崩测试
175°C 工作温度
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