Infineon , 2 N型沟道 双 增强型 功率晶体管, Vds=100 V, 20 A, TDSON, 表面安装, 8引脚, OptiMOS-T2系列
- RS 库存编号:
- 218-3060P
- 制造商零件编号:
- IPG20N10S436AATMA1
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|
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- RS 库存编号:
- 218-3060P
- 制造商零件编号:
- IPG20N10S436AATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | 功率晶体管 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 20A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 包装类型 | TDSON | |
| 系列 | OptiMOS-T2 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 36mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 9.4nC | |
| 最大功耗 Pd | 43W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 晶体管配置 | 双 | |
| 标准/认证 | AEC Q101, RoHS | |
| 高度 | 1mm | |
| 宽度 | 5.9 mm | |
| 长度 | 5.15mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 功率晶体管 | ||
最大连续漏极电流 Id 20A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
包装类型 TDSON | ||
系列 OptiMOS-T2 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 36mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 9.4nC | ||
最大功耗 Pd 43W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最高工作温度 175°C | ||
晶体管配置 双 | ||
标准/认证 AEC Q101, RoHS | ||
高度 1mm | ||
宽度 5.9 mm | ||
长度 5.15mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
the Infineon ® T2 系列双 n 通道汽车 mosfet 。自动光学检查（ oi ）是可行的。
双 n 通道 - 增强模式
100% 雪崩测试
175°C 工作温度