Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 45 A, TO-262, 表面安装, 3引脚, OptiMOS-T2系列
- RS 库存编号:
- 218-3061
- 制造商零件编号:
- IPI45N06S409AKSA2
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 管，共 50 件）*
¥592.90
(不含税)
¥670.00
(含税)
有库存
- 另外 450 件在 2025年12月11日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | RMB11.858 | RMB592.90 |
| 100 - 150 | RMB11.502 | RMB575.10 |
| 200 + | RMB11.157 | RMB557.85 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 218-3061
- 制造商零件编号:
- IPI45N06S409AKSA2
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 45A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | TO-262 | |
| 系列 | OptiMOS-T2 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 9.2mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 36nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 71W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 宽度 | 4.4 mm | |
| 高度 | 23.45mm | |
| 长度 | 10.2mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 45A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 TO-262 | ||
系列 OptiMOS-T2 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 9.2mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 36nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 71W | ||
最高工作温度 175°C | ||
宽度 4.4 mm | ||
高度 23.45mm | ||
长度 10.2mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
the Infineon ® T2 系列 n 沟道汽车 mosfet 与 I2PAK （ to-262 ）型封装集成。
N 通道 - 增强模式
MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接
175°C 工作温度