Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=700 V, 8.5 A, SOT-223, 表面安装, 3引脚, IPN70R600P7SATMA1, 700V CoolMOSª P7系列

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218-3065P
制造商零件编号:
IPN70R600P7SATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

8.5A

最大漏源电压 Vd

700V

包装类型

SOT-223

系列

700V CoolMOSª P7

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

600mΩ

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

10.5nC

最大功耗 Pd

6.9W

最低工作温度

-40°C

正向电压 Vf

0.9V

最大栅源电压 Vgs

16 V

最高工作温度

150°C

长度

6.7mm

标准/认证

No

宽度

3.7 mm

高度

1.8mm

汽车标准

the Infineon 700V coolmos ™ n 沟道功率 mosfet 。最新的 coolmos ™ P7 是一款优化平台,专为消费市场中的成本敏感型应用而定制,如充电器、适配器、照明、电视等。新系列提供快速切换 superjunction mosfet 的所有优点,同时具有出色的性价比和最先进的易用性。

由于 fom rds (接通) *qg 和极低的损耗 rds (接通) * eoss

极佳的热行为

集成 esd 保护二极管

低切换损耗( eoss )