Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 13.8 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, CoolMOS P6系列

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包装方式:
RS 库存编号:
218-3089P
制造商零件编号:
IPW60R280P6FKSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

13.8A

最大漏源电压 Vd

600V

系列

CoolMOS P6

包装类型

TO-247

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

280mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

20 V

最大功耗 Pd

104W

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

25.5nC

正向电压 Vf

0.9V

最高工作温度

150°C

高度

21.1mm

标准/认证

No

宽度

5.21 mm

长度

16.13mm

汽车标准

the Infineon 600V coolmos ™ P6 系列 n 沟道功率 mosfet 。coolmos ™是一项革命性技术,适用于高电压功率的高功率功率半导体,设计符合超结( sj )原理,并由 Infineon 技术公司率先推出。它可用于 pfc 级、硬切换 pwm 级和谐振切换级、例如 pc silverbox 、适配器、 lcd 和 pdp tv 、照明、服务器、电信和 ups 。

mosfet dv/dt 稳定增加

非常高的换向坚固性

易于使用 / 驱动

无铅电镀、无卤模制化合物