Infineon N沟道MOSFET, Vds=800 V, Id=13 A, 3针, TO-247, 800V CoolMOS P7系列

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包装方式:
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218-3092P
制造商零件编号:
IPW80R360P7XKSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

13A

最大漏源电压 Vd

800V

系列

800V CoolMOS P7

包装类型

TO-247

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

360mΩ

正向电压 Vf

0.9V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

30nC

最大栅源电压 Vgs

20V

最大功耗 Pd

84W

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

长度

16.13mm

标准/认证

No

宽度

5.21mm

高度

21.1mm

汽车标准

否

the Infineon 800V coolmos ™ P7 n 沟道功率 mosfet 。它适用于硬切换和软切换回扫拓扑、用于 led 照明、低功率充电器和适配器、音频、辅助电源和工业电源。

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