Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=100 V, 57 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, IRF3710STRLPBF, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 218-3096
- 制造商零件编号:
- IRF3710STRLPBF
- 制造商:
- Infineon
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 218-3096
- 制造商零件编号:
- IRF3710STRLPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 57A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 23mΩ | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大功耗 Pd | 3.8W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 86.7nC | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | EIA 418 | |
| 高度 | 4.83mm | |
| 长度 | 10.67mm | |
| 宽度 | 9.65 mm | |
| Distrelec Product Id | 304-39-414 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 57A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
系列 HEXFET | ||
包装类型 TO-263 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 23mΩ | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大功耗 Pd 3.8W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 86.7nC | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 EIA 418 | ||
高度 4.83mm | ||
长度 10.67mm | ||
宽度 9.65 mm | ||
Distrelec Product Id 304-39-414 | ||
汽车标准 否 | ||
the Infineon ex场 n 沟道功率 mosfet 。international International Rectifier 的 hex场 功率式高功率半导体器件采用先进 Advanced 工艺技术，可在每硅片面积实现极低的导通电阻。它适用于高电流应用、因为其内部连接电阻低、在典型表面安装应用中可耗散高达 2.0w 。
超低接通电阻
动态 dv/dt 额定值
175°C 工作温度
快速切换
无铅