Infineon N沟道MOSFET, Vds=100 V, Id=57 A, 3针, TO-263, HEXFET系列

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包装方式：
RS 库存编号:
218-3096
Distrelec 货号:
304-39-414
制造商零件编号:
IRF3710STRLPBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

57A

最大漏源电压 Vd

100V

包装类型

TO-263

系列

HEXFET

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

23mΩ

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

86.7nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

3.8W

最大栅源电压 Vgs

20V

正向电压 Vf

1.2V

最高工作温度

175°C

高度

4.83mm

长度

10.67mm

标准/认证

EIA 418

宽度

9.65mm

汽车标准

否

the Infineon ex场 n 沟道功率 mosfet 。international International Rectifier 的 hex场 功率式高功率半导体器件采用先进 Advanced 工艺技术，可在每硅片面积实现极低的导通电阻。它适用于高电流应用、因为其内部连接电阻低、在典型表面安装应用中可耗散高达 2.0w 。

超低接通电阻

动态 dv/dt 额定值

175°C 工作温度

快速切换

无铅

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