Infineon P型沟道 MOSFET, Vds=150 V, 13 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 218-3098P
- 制造商零件编号:
- IRF6215STRLPBF
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计 210 件 (以卷装提供)*
¥2,124.57
(不含税)
¥2,400.72
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年12月29日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 210 - 390 | RMB10.117 |
| 405 + | RMB9.814 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 218-3098P
- 制造商零件编号:
- IRF6215STRLPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 13A | |
| 最大漏源电压 Vd | 150V | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 290mΩ | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 44nC | |
| 最大功耗 Pd | 110W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 正向电压 Vf | -1.6V | |
| 高度 | 4.83mm | |
| 长度 | 10.67mm | |
| 宽度 | 9.65 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id 13A | ||
最大漏源电压 Vd 150V | ||
包装类型 TO-263 | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 290mΩ | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 44nC | ||
最大功耗 Pd 110W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
正向电压 Vf -1.6V | ||
高度 4.83mm | ||
长度 10.67mm | ||
宽度 9.65 mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
the Infineon isf 系列单 p 通道功率 mosfet 。此 mosfet 利用先进 Advanced processing techniques （处理技术）、实现每个硅片区域极低的接通电阻。它适用于高电流应用。
快速切换
p 通道
175°C 工作温度