Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=25 V, 324 A, SuperSO, 表面安装, IRFH8201TRPBF, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 218-3104
- 制造商零件编号:
- IRFH8201TRPBF
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 包，共 10 件）*
¥90.64
(不含税)
¥102.42
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年3月23日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 990 | RMB9.064 | RMB90.64 |
| 1000 - 1990 | RMB8.792 | RMB87.92 |
| 2000 + | RMB8.528 | RMB85.28 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 218-3104
- 制造商零件编号:
- IRFH8201TRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 324A | |
| 最大漏源电压 Vd | 25V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 包装类型 | SuperSO | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 950mΩ | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 56nC | |
| 最大功耗 Pd | 156W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 0.9mm | |
| 长度 | 6mm | |
| 宽度 | 5 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 324A | ||
最大漏源电压 Vd 25V | ||
系列 HEXFET | ||
包装类型 SuperSO | ||
安装类型 表面 | ||
最大漏源电阻 Rd 950mΩ | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 56nC | ||
最大功耗 Pd 156W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
高度 0.9mm | ||
长度 6mm | ||
宽度 5 mm | ||
汽车标准 否 | ||
the Infineon ex场 系列单 n 沟道功率 mosfet 。它主要用于电池供电的直流电动机逆变器。
与现有表面安装技术兼容
低印刷电路板热阻（<0.8°w/w ）
符合 rohs 标准、无卤