Infineon N沟道MOSFET, Vds=25 V, Id=324 A, 8针, SuperSO, HEXFET系列

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包装方式：
RS 库存编号:
218-3104
制造商零件编号:
IRFH8201TRPBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

324A

最大漏源电压 Vd

25V

系列

HEXFET

包装类型

SuperSO

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

950mΩ

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

56nC

最大栅源电压 Vgs

20V

正向电压 Vf

1V

最大功耗 Pd

156W

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

宽度

5mm

标准/认证

No

长度

6mm

高度

900μm

汽车标准

否

the Infineon ex场 系列单 n 沟道功率 mosfet 。它主要用于电池供电的直流电动机逆变器。

与现有表面安装技术兼容

低印刷电路板热阻（<0.8°w/w ）

符合 rohs 标准、无卤

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