Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=20 V, 93 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, HEXFET系列

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包装方式:
RS 库存编号:
218-3109P
制造商零件编号:
IRFR3711ZTRPBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

93A

最大漏源电压 Vd

20V

包装类型

TO-252

系列

HEXFET

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

7.8mΩ

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

27nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

79W

最大栅源电压 Vgs

20 V

正向电压 Vf

10V

最高工作温度

175°C

高度

6.22mm

标准/认证

No

宽度

2.39 mm

长度

6.73mm

汽车标准

the Infineon ex场 20V 单 n 沟道功率 mosfet 。此设备特别适用于需要性能和坚固性的低频应用。

超低栅极阻抗

无导线