Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=500 V, 6 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, IRFR825TRPBF, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 218-3116
- 制造商零件编号:
- IRFR825TRPBF
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 15 - 495 | RMB8.72 | RMB130.80 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 218-3116
- 制造商零件编号:
- IRFR825TRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 6A | |
| 最大漏源电压 Vd | 500V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.3Ω | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大功耗 Pd | 119W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 34nC | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 4.83 mm | |
| 长度 | 10.67mm | |
| 高度 | 9.65mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 6A | ||
最大漏源电压 Vd 500V | ||
系列 HEXFET | ||
包装类型 TO-252 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.3Ω | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大功耗 Pd 119W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 34nC | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
宽度 4.83 mm | ||
长度 10.67mm | ||
高度 9.65mm | ||
汽车标准 否 | ||
the Infineon ex场 单 n 沟道功率 mosfet 与 dak （至 252 ）型封装集成。此 mosfet 主要用于 ups 、 smp 等
栅极电荷更低、驱动要求更简单。
更高的栅极电压阈值提供改进的抗噪性。