Infineon N沟道MOSFET, Vds=75 V, Id=128 A, 3针, TO-263, HEXFET系列

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RS 库存编号:
218-3117
制造商零件编号:
IRFS3307ZTRRPBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

128A

最大漏源电压 Vd

75V

包装类型

TO-263

系列

HEXFET

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

5.8mΩ

最大功耗 Pd

230W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

110nC

最大栅源电压 Vgs

20V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

标准/认证

No

高度

9.65mm

长度

10.67mm

宽度

4.83mm

汽车标准

否

the Infineon ex场 系列单 n 沟道功率 mosfet 与 D2PAK （至 263 ）型封装集成。

完全定性电容和雪崩 soa

增强的主体二极管 dv/dt 和 di/dt 能力

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