Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 426 A, D2PAK (TO-263), 贴片安装, 3引脚, IRFS7系列
- RS 库存编号:
- 218-3121
- 制造商零件编号:
- IRFS7430TRLPBF
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 218-3121
- 制造商零件编号:
- IRFS7430TRLPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 426 A | |
| 最大漏源电压 | 40 V | |
| 封装类型 | D2PAK (TO-263) | |
| 系列 | IRFS7 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 0.0012. Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 3.9V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 426 A | ||
最大漏源电压 40 V | ||
封装类型 D2PAK (TO-263) | ||
系列 IRFS7 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 0.0012. Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 3.9V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 Si | ||
the Infineon ex场 40V 单 n 沟道功率 mosfet 。它采用 D2PAK （至 263 ）型封装。它适用于切换小于 100 千赫的应用。
增强的主体二极管 dv/dt 和 di/dt 能力
无铅
无铅