Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=75 V, 269 A, TO-263, 表面安装, 7引脚, IRFS7730TRL7PP, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 218-3124
- 制造商零件编号:
- IRFS7730TRL7PP
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
¥76.85
(不含税)
¥86.85
(含税)
有库存
- 1,225 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 195 | RMB15.37 | RMB76.85 |
| 200 - 395 | RMB14.91 | RMB74.55 |
| 400 + | RMB14.464 | RMB72.32 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 218-3124
- 制造商零件编号:
- IRFS7730TRL7PP
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 269A | |
| 最大漏源电压 Vd | 75V | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 2mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 428nC | |
| 最大功耗 Pd | 375W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 9.65mm | |
| 长度 | 10.67mm | |
| 宽度 | 4.83 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 269A | ||
最大漏源电压 Vd 75V | ||
包装类型 TO-263 | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 7 | ||
最大漏源电阻 Rd 2mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 428nC | ||
最大功耗 Pd 375W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 9.65mm | ||
长度 10.67mm | ||
宽度 4.83 mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
the Infineon ex场 系列单 n 沟道功率 mosfet 。与 D2PAK 7pin （至 263 7pin ）型封装集成。
无铅，符合 RoHS