Infineon N沟道MOSFET, Vds=60 V, Id=71 A, 3针, IPAK, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 218-3125
- 制造商零件编号:
- IRFU7546PBF
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 218-3125
- 制造商零件编号:
- IRFU7546PBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 71A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 包装类型 | IPAK | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 7.9mΩ | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 87nC | |
| 最大功耗 Pd | 99W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 2.39mm | |
| 高度 | 6.22mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 71A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
系列 HEXFET | ||
包装类型 IPAK | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 7.9mΩ | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 87nC | ||
最大功耗 Pd 99W | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 6.73mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 2.39mm | ||
高度 6.22mm | ||
汽车标准 否 | ||
the Infineon ex场 系列 n 沟道功率 mosfet 。它适用于切换低于 <100KHz 的应用。
无铅，符合 RoHS
增强的主体二极管 dv/dt 和 di/dt 能力
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