Infineon N沟道MOSFET, Vds=30 V, Id=23 A, 3针, TO-252, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 218-3127
- 制造商零件编号:
- IRLR2703TRPBF
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 218-3127
- 制造商零件编号:
- IRLR2703TRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 23A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 65mΩ | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 162nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最大功耗 Pd | 341W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 20.7mm | |
| 宽度 | 5.31mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 15.87mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 23A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
系列 HEXFET | ||
包装类型 TO-252 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 65mΩ | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 162nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最大功耗 Pd 341W | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 20.7mm | ||
宽度 5.31mm | ||
标准/认证 No | ||
长度 15.87mm | ||
汽车标准 否 | ||
the Infineon ex场 n 沟道功率 mosfet 。它采用 Advanced processing techniques此 mosfet 设计用于使用汽相、红外或波峰焊接技术进行表面安装。
超低接通电阻
快速切换
完全雪崩等级
无导线
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