Infineon N沟道MOS管, Vds=30 V, 23 A, DPAK (TO-252), 贴片安装, 3引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 218-3128P
- 制造商零件编号:
- IRLR2703TRPBF
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 218-3128P
- 制造商零件编号:
- IRLR2703TRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 23 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 封装类型 | DPAK (TO-252) | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 0.045 Ω、 0.065 Ω | |
| 最大栅阈值电压 | 1V | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 23 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
封装类型 DPAK (TO-252) | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 0.045 Ω、 0.065 Ω | ||
最大栅阈值电压 1V | ||
晶体管材料 Si | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
the Infineon ex场 n 沟道功率 mosfet 。它采用 Advanced processing techniques此 mosfet 设计用于使用汽相、红外或波峰焊接技术进行表面安装。
超低接通电阻
快速切换
完全雪崩等级
无导线
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完全雪崩等级
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