STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=1200 V, 33 A, H2PAK, 表面安装, 7引脚, SCTH40N120G2V-7, SCTH40N系列
- RS 库存编号:
- 219-4222
- 制造商零件编号:
- SCTH40N120G2V-7
- 制造商:
- STMicroelectronics
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- RS 库存编号:
- 219-4222
- 制造商零件编号:
- SCTH40N120G2V-7
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 33A | |
| 最大漏源电压 Vd | 1200V | |
| 包装类型 | H2PAK | |
| 系列 | SCTH40N | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 105mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 61nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 22 V | |
| 最大功耗 Pd | 250W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 15.25mm | |
| 长度 | 10.4mm | |
| 宽度 | 4.8 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 33A | ||
最大漏源电压 Vd 1200V | ||
包装类型 H2PAK | ||
系列 SCTH40N | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 7 | ||
最大漏源电阻 Rd 105mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 61nC | ||
最大栅源电压 Vgs 22 V | ||
最大功耗 Pd 250W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 15.25mm | ||
长度 10.4mm | ||
宽度 4.8 mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
STMicroelectronics 功率 mosfet 器件使用 st 的 Advanced 和创新的 2nd generation sic mosfet 技术开发而成。该设备的每个装置区域具有非常低的接通电阻和非常好的切换性能。开关损耗的变化几乎独立于接点温度。
符合 AEC-Q101
极高的工作接点温度能力（ tj = 175 °c ）
非常快速且坚固的固有主体二极管
极低栅极电荷和输入电容