STMicroelectronics MOS管, Vds=1200 V, 33 A, H2PAK-7, 贴片安装, 7引脚, SCTH40N系列
- RS 库存编号:
- 219-4222P
- 制造商零件编号:
- SCTH40N120G2V-7
- 制造商:
- STMicroelectronics
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 250 - 499 | RMB125.84 |
| 500 + | RMB123.33 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 219-4222P
- 制造商零件编号:
- SCTH40N120G2V-7
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 最大连续漏极电流 | 33 A | |
| 最大漏源电压 | 1200 V | |
| 系列 | SCTH40N | |
| 封装类型 | H2PAK-7 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 最大漏源电阻值 | 0.105 o | |
| 最大栅阈值电压 | 5V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
最大连续漏极电流 33 A | ||
最大漏源电压 1200 V | ||
系列 SCTH40N | ||
封装类型 H2PAK-7 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 7 | ||
最大漏源电阻值 0.105 o | ||
最大栅阈值电压 5V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
STMicroelectronics 功率 mosfet 器件使用 st 的 Advanced 和创新的 2nd generation sic mosfet 技术开发而成。该设备的每个装置区域具有非常低的接通电阻和非常好的切换性能。开关损耗的变化几乎独立于接点温度。
符合 AEC-Q101
极高的工作接点温度能力（ tj = 175 °c ）
非常快速且坚固的固有主体二极管
极低栅极电荷和输入电容
极高的工作接点温度能力（ tj = 175 °c ）
非常快速且坚固的固有主体二极管
极低栅极电荷和输入电容