Nexperia N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=55 V, 5.5 A, SOT-223, 表面安装, 4引脚, BUK98150-55A/CUF, BUK98150系列
- RS 库存编号:
- 219-4328
- 制造商零件编号:
- BUK98150-55A/CUF
- 制造商:
- Nexperia
可享批量折扣
小计（1 包，共 25 件）*
¥55.10
(不含税)
¥62.275
(含税)
暂时缺货
- 2,000 件在 2026年6月10日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 25 - 975 | RMB2.204 | RMB55.10 |
| 1000 - 1975 | RMB2.138 | RMB53.45 |
| 2000 + | RMB2.075 | RMB51.88 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 219-4328
- 制造商零件编号:
- BUK98150-55A/CUF
- 制造商:
- Nexperia
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Nexperia | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 5.5A | |
| 最大漏源电压 Vd | 55V | |
| 包装类型 | SOT-223 | |
| 系列 | BUK98150 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 161mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 5.3nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 15 V | |
| 最大功耗 Pd | 8W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 0.3mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 3.7 mm | |
| 长度 | 6.7mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Nexperia | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 5.5A | ||
最大漏源电压 Vd 55V | ||
包装类型 SOT-223 | ||
系列 BUK98150 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 161mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 5.3nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 15 V | ||
最大功耗 Pd 8W | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 0.3mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 3.7 mm | ||
长度 6.7mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Nexperia BUK98150 - 55A 逻辑电平 n 通道增强模式场效应晶体管 (ft) 采用塑料封装，使用 trenchmos 技术
由于具有低导通电阻，因此传导损耗低
符合 Q101 标准