Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 26 A, TO-247, 表面安装, 3引脚, IPA60R360P7XKSA1, CoolMOS P7系列

可享批量折扣

小计(1 包,共 10 件)*

¥72.91

(不含税)

¥82.39

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
有库存
  • 另外 610 件在 2025年12月11日 发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。
单位
每单位
每包*
10 - 10RMB7.291RMB72.91
20 - 20RMB7.219RMB72.19
30 +RMB6.858RMB68.58

* 参考价格

包装方式:
RS 库存编号:
219-5981
制造商零件编号:
IPA60R360P7XKSA1
制造商:
Infineon
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

26A

最大漏源电压 Vd

650V

系列

CoolMOS P7

包装类型

TO-247

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

360mΩ

通道模式

增强

标准/认证

No

汽车标准

Infineon 600V CoolMO P7 优化的超结 MOSFET 将高能效与易用性相结合,是 600V CoolMOS P6 系列的后继产品。它继续在设计过程中兼顾对高效率的需求和易用性。杰出 RonxA 和 CoolMOS 第 7 代平台固有的低栅极电荷 (QG) 可确保其高效率。

MOSFET 适用于硬和谐振切换拓扑,如 PFC 和 LLC

在 LLC 拓扑结构中,主体二极管硬换向期间具有出色的坚固性

适用于各种终端应用和输出功率

提供的部件适用于消费和工业应用