Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=800 V, 8 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, CoolMOS P7系列
- RS 库存编号:
- 219-5992
- 制造商零件编号:
- IPD80R600P7ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 219-5992
- 制造商零件编号:
- IPD80R600P7ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
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产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 8A | |
| 最大漏源电压 Vd | 800V | |
| 系列 | CoolMOS P7 | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 600mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 20nC | |
| 最大功耗 Pd | 60W | |
| 正向电压 Vf | 0.9V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 6.22 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 高度 | 2.41mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 8A | ||
最大漏源电压 Vd 800V | ||
系列 CoolMOS P7 | ||
包装类型 TO-252 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 600mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 20nC | ||
最大功耗 Pd 60W | ||
正向电压 Vf 0.9V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 6.22 mm | ||
标准/认证 No | ||
长度 6.73mm | ||
高度 2.41mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon 800V CoolMOS P7 超结 MOSFET 系列通过完全满足市场在性能，易用性和性价比方面的需求，特别适用于低功率 SMPS 应用。它主要用于回扫应用，包括适配器和充电器， LED 驱动器，音频 SMPS ， AUX 和工业电源。 与前代产品以及在典型回扫应用中经过测试的竞争对手部件相比，此新产品系列可提供高达 0.6% 的效率增益和 2°C 至 8°C 的较低 MOSFET 温度。它还可通过更低的切换损耗和更好的 DPAK R DS (on) 产品实现更高的功率密度设计。总体而言，它有助于客户节省 BOM 成本并减少装配工作量。
易于驱动和设计
通过减少与 ESD 相关的故障，提高生产率
减少生产问题，减少现场退货
易于选择正确的部件，用于微调设计