Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=950 V, Id=4 A, 3针, TO-252, CoolMOS P7系列

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包装方式：
RS 库存编号:
219-5995P
制造商零件编号:
IPD95R2K0P7ATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

4A

最大漏源电压 Vd

950V

系列

CoolMOS P7

包装类型

TO-252

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

2mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

37W

最大栅源电压 Vgs

20V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

10nC

正向电压 Vf

0.9V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

高度

2.41mm

宽度

6.22mm

标准/认证

No

长度

6.73mm

汽车标准

否

Infineon CoolMOS P7 系列 MOSFET,950V 漏源电压,4A 连续漏电流 - IPD95R2K0P7ATMA1


这款 MOSFET 是一款高电压 N 通道增强型晶体管,专为要求严苛的电子系统中的开关和功率转换而设计。它可在宽环境范围内运行,适用于需要紧凑型热敏开关设备的表面安装应用。

特性和优点：


• 950V漏源额定电压，支持高压开关应用
• 2mΩ Rds(on),可在高电流运行过程中最大限度减少传导损耗
• 10nC 栅极电荷可减少驱动能量和与开关相关的损耗
• 4A 连续漏电流可靠地支持中等负载电流
• 37W 最大功耗,可实现显著的散热空间
• 20V 栅极-源能力可适应常见的栅极驱动电压

应用


• 适用于高压电源和转换器
• 适用于开关模式电源主开关
• 与工业电机驱动前端配合使用
• 可用于可再生系统中的能量转换
• 适用于紧凑型表面贴装电源模块

它在运行过程中可耐受哪些极端温度？


它的额定工作温度范围为 -55°C 至 150°C,可在宽散热封装中使用。

它采用什么包装用于 PCB 组装？


它采用 TO-252 表面贴装封装,适用于焊接板安装。

传导时典型的正向传导特性是什么?


该设备在适当条件下在传导过程中具有 0.9V 的正向电压。

它为电路集成提供多少电气连接?


它为标准 MOSFET 端子连接提供三个引脚。

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