Infineon N型沟道增强型 MOSFET, Vds=800 V, 8 A, SOT-223, 表面安装, 3引脚, CoolMOS P7系列

RS 库存编号:: 219-5999P
制造商零件编号:: IPN80R600P7ATMA1
制造商:: Infineon

Infineon N型沟道增强型 MOSFET, Vds=800 V, 8 A, SOT-223, 表面安装, 3引脚, CoolMOS P7系列

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产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N型
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	8A
	最大漏源电压 Vd	800V
	包装类型	SOT-223
	系列	CoolMOS P7
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	600mΩ
	通道模式	增强
	正向电压 Vf	0.9V
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	20nC
	最大功耗 Pd	7.4W
	最高工作温度	150°C
	高度	1.8mm
	长度	6.7mm
	标准/认证	No
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N型
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 8A
	最大漏源电压 Vd 800V
	包装类型 SOT-223
	系列 CoolMOS P7
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 600mΩ
	通道模式增强
	正向电压 Vf 0.9V
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 20nC
	最大功耗 Pd 7.4W
	最高工作温度 150°C
	高度 1.8mm
	长度 6.7mm
	标准/认证 No
	汽车标准否

Datasheet - IPN80R600P7ATMA1

Infineon 800V CoolMOS P7 超结 MOSFET 系列通过完全满足市场在性能，易用性和性价比方面的需求，特别适用于低功率 SMPS 应用。它主要用于回扫应用，包括适配器和充电器， LED 驱动器，音频 SMPS ， AUX 和工业电源。与前代产品以及在典型回扫应用中经过测试的竞争对手部件相比，此新产品系列可提供高达 0.6% 的效率增益和 2°C 至 8°C 的较低 MOSFET 温度。它还可通过更低的切换损耗和更好的 DPAK R DS (on) 产品实现更高的功率密度设计。总体而言，它有助于客户节省 BOM 成本并减少装配工作量。

易于驱动和设计

通过减少与 ESD 相关的故障，提高生产率

减少生产问题，减少现场退货

易于选择正确的部件，用于微调设计

Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=800 V, 8 A, SOT-223, 表面安装, 3引脚, CoolMOS P7系列

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