Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=700 V, 41 A, TO-220, 表面安装, 3引脚, CoolMOS系列
- RS 库存编号:
- 219-6007P
- 制造商零件编号:
- IPP65R225C7XKSA1
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|
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- 219-6007P
- 制造商零件编号:
- IPP65R225C7XKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 41A | |
| 最大漏源电压 Vd | 700V | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 系列 | CoolMOS | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 225mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 63W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 20nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 正向电压 Vf | 0.9V | |
| 长度 | 10.36mm | |
| 宽度 | 15.95 mm | |
| 高度 | 4.57mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 41A | ||
最大漏源电压 Vd 700V | ||
包装类型 TO-220 | ||
系列 CoolMOS | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 225mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 63W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 20nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
正向电压 Vf 0.9V | ||
长度 10.36mm | ||
宽度 15.95 mm | ||
高度 4.57mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon CoolMOS C7 超结 MOSFET 系列在技术上迈出了革命性的一步，提供全球最低的 RDS (接通) / 封装，并且由于其低切换损耗，在整个负载范围内效率得到提高。
提高了安全裕度，适用于 SMPS 和太阳能逆变器应用
最低传导损耗 / 封装
低切换损耗
更好的轻负载效率
提高功率密度